太赫兹器件与纳米器件物理学及建模

Maxim Ryzhii University of Aizu, Japan

Physics and Modeling of

Tera and NanoDevices

2008, 628pp.

Hardcover

ISBN 9789812779045

M.Ryzhii等编

“太赫兹器件及纳米器件：物理学及建模”国际专题讨论会2006年10月16日~19日在日本的会津若松举行。

本书论文涉及了基于碳纳米管的器件、半导体结构中太赫兹辐射的产生与探测，包括太赫兹等离子体振荡与不稳定性、半导体异质结构中的太赫兹光混频、低维系统中的自旋及微波感应现象以及器件建模的各种计算方面。

本书一共收集了20篇论文，它们是：1.半导体器件定标：物理学、迁移及纳米线的作用；2.非常规半导体场效应结上的极子化效应；3.半导体器件中高场输运的分格蒙特卡罗模拟；4.建立在Wigner函数形式体系基础上的纳米电子器件模拟；5.双闸极MOSFET器件的量子模拟：nanoHUB org的共用纳米技术软件工具的建造与使用；6.点接触正磁致阻：相互使用的可能表示；7.电路及系统中纳米—CMOS器件本征参数起伏的影响；8.用于太赫兹时代的基于HEMT的纳米器件；9.二维电子系统中等离子体波及它们的应用；10.利用横向尚特基二极管中等离子体振荡的谐振太赫兹探测天线；11.建立在二维等离子体电子弥散控制基础上的太赫兹偏振控制器；12.基于GaN的场效应晶体管阵列中的高阶等离子体微元共振；13.利用碳纳米管量子原子团的超高灵敏太赫兹探测；14.借助毫微微秒激光脉冲的纳米结构中超短电子聚束的产生；15.使用RTD传输线电压控制振荡器的表示特性；16.红外线量子原子团探测器与限制扩散捕获；17.Fe/MgO/Fe磁隧道结中的磁致电阻；18.基于自旋的量子计算建模及实现；19.用于减少威胁和国家安全的量子工程；20.强相位移光罩制造错误对65nm多义线可印刷性的影响。

本书的两位编辑V.Ryzhii,M.Ryzhii来自日本会津大学，组织该会议的还有G.P.Berman,V.Mitin T Otsuji和M.S.Shur。这次会议受到了来自日本会当大学、美国洛斯阿拉莫斯国家实验室、美国空军科学研究办公室/亚洲大气空间研究发展办公室、美国水牛城大学等单位的财政资助。

本书是世界科技出版社出版的《电子学与系统精选课题》丛书的第47卷。可供从事电子器件研制领域的研究人员及研究生阅读参考。

胡光华，高级软件工程师

(原中国科学院物理学研究所)

Hu Guanghua, Senior Software Engineer

(Former Institute of Physics,CAS)